我們處在一個信息爆炸的時代，而信息的產生與傳播離不開基本的硬件載體，根據市場調研機構IC Insights最新研究報告指出，2020年全球將有10座新的12寸晶圓廠進入量產階段，全球晶圓產能將新增1790萬片8寸約當晶圓，2021年新增產能將創歷史新高達2080萬片8寸約當晶圓。新增產能主要來自于韓國大廠三星及SK海力士，以及長江儲存、武漢新芯、華虹宏力等我國大陸半導體廠。

報告指出，自2000年以來，半導體產業是靠著增加晶圓投片量來提高晶片出貨量，而利用制程微縮讓每片晶圓切割出更多晶片的貢獻并不多。事實上，自2000～2019年這20年當中，每片晶圓切割出的良品晶片的每年平均成長率僅0.9％，但透過增加晶圓投片來增加的晶片每年平均成長率達6.5％?？傮w來看，2000～2019年全球每年新增加的晶片數量，有86％來自晶圓投片量增加，只有14％是來自制程微縮讓每片晶圓切割出更多晶片。

半導體市場在2017～2018年間出現過存儲芯片及部份邏輯芯片缺貨的情況，DRAM及NAND Flash價格大漲，存儲芯片廠因此大舉擴充產能以回應市場的強勁需求，晶圓代工廠及IDM廠也有擴建增加產能的計劃。不過，國際經濟情勢不確定性導致半導體市場需求降溫，2019年存儲芯片價格一路走跌，存儲芯片廠也暫緩了產能擴充計劃，晶圓代工廠及IDM廠的產能利用率也同步下修。IC Insights統計，全球晶圓廠平均產能利用率在2018年達94％，但2019年降至86％。

但是對于半導體廠來說，產能擴充計劃沒有取消只是延后，其中擴產規模最大的還是來自于存儲芯片廠。由于近期DRAM及NAND Flash市況回溫，存儲芯片廠重啟產能擴充計劃，2020年及2021年全球新增晶圓產能將大幅增加，等于進入高速擴張期。

據業界消息，以三星為例，為積極擴增3D NAND產能，其位于西安的第二期晶圓廠已完工，預計2020年第一季開始量產，三星位于韓國平澤廠旁的P2廠也已興建完成，預期2020年下半年進入量產。