美光宣布已開始批量生產全球首個176層3D NAND Flash。與上一代128層3D NAND技術相比，將讀取延遲和寫入延遲改善了35%以上，基于ONFI接口協議規范，最大數據傳輸速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作負載性能提高15%，緊湊設計使裸片尺寸減小約30%，每片Wafer將產生更多的GB當量的NAND Flash。

美光新的176層3D NAND已在新加坡工廠量產，并已通過其Crucial消費類SSD產品線送樣給客戶，并將在2021年推出基于該技術的新產品，瞄準5G、AI、云和智能邊緣領域的增長機會，滿足移動、汽車、客戶端和數據中心領域不斷增長的存儲需求。

其他原廠3D NAND進展如何？

三星

2019年8月開始量產第六代（1xx層）TLC V-NAND，并基于該技術推出了面向消費類980 PRO和數據中心的PM9A3系列SSD。為了提高市場競爭力，三星正在加速第七代V-NAND（160層以上）的研發，預計2021下半年在新建的平澤NAND新產線投產，以滿足不斷增長的數據中心和智能手機存儲需求。

鎧俠/西部數據

2019年基于96層QLC單顆Die容量已實現了1.33Tb容量，2020年初推出的第五代3D NAND技術，采用的是112層堆疊BiCS5，初步量產的是512Gb TLC產品，已經面向消費類的產品發售，QLC 單顆Die容量將達1.33Tb。

SK海力士

2019年5月送樣96層QLC 4D NAND，單顆Die容量1Tb，同年次月又推出了128層4D TLC NAND，2020年下半年送樣該新技術的企業級PE8111系列SSD，容量高達16TB，并計劃在未來開發32TB容量企業級SSD。
 
另外，SK海力士已在2020年第三季度開始全面銷售128層NAND Flash產品，以應對市場穩定的移動需求做出反應，預計第四季度供應將持續放量。

英特爾 

英特爾已經成功研發出144層堆疊的QLC閃存，容量較96層QLC提升了約50%，計劃是在2020年底前投入生產，并會推出基于該新技術的消費類和企業級SSD。

雖然SK海力士收購了英特爾NAND業務，包括中國大連3D NAND工廠，但是在2025年之前，英特爾將繼續運營大連工廠和制造設計技術，在目前的144層節點之后，有望再拓展兩到三代。

長江存儲

2020上半年發布128層QLC 3D NAND（型號:X2-6070），具有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb單顆Die容量，并在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。同時，長江存儲也發布了128層512Gb TLC 3D NAND（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
 
3D NAND技術進入100層以上競爭，市場將何去何從？

3D NAND技術是核心競爭力，原廠之間的競爭也從未停歇，2020年原廠3D NAND供貨主力仍以96層為主，并不斷的提高128層3D NAND產出，同時三星、SK海力士等積極的導入到消費類和企業級SSD中應用。

隨著3D NAND技術的發展，三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士3D NAND技術已發展到了128層，新晉Flash原廠長江存儲也跟進發布了128層TLC/QLC，如今美光搶先推出全球首個176層3D NAND，讓原廠之間的技術競爭越發激烈。

隨著3D NAND堆疊層數的增長，3D NAND技術經歷了24層、48層、64層、96層、128層等幾個堆疊階段，NAND Flash單顆Die容量也發展到了1Tb，如今進入100層以上堆疊，NAND Flash供應量將進一步增加。