為了鞏固其在NAND Flash市場的競爭優勢，三星電子今天宣布已經開始大量生產64層256Gb V-NAND，被稱為第四代V-NAND。三星目前V-NAND占整體NAND Flash產能的70%以上，隨著64層V-NAND進入量產，3D NAND產能比重將更高，將不斷擴大在服務器、PC和移動設備等領域的應用。

圖一：64層256Gb V_NAND 

自從三星在1月份開始為重要IT客戶生產產業首款基于64層256Gb V-NAND的SSD，該公司就一直基于新一代V-NAND為移動和消費客戶提供解決方案，計劃將在晚一些時候推出嵌入式UFS、品牌SSD和閃存卡等產品。

據業內人士透露，三星Fab 18工廠已經在6月份投入生產64層V-NAND，三星還計劃基于64層V-NAND在Q3季度推出UFS3.0新品，以及推出M.2和2.5英寸規格形態的SSD產品。

圖二：64層256Gb V_NAND_1TB M.2 SSD

圖三：64層256Gb V_NAND_1TB M.2 SSD&2.5

三星電子存儲業務Flash產品和技術團隊執行副總裁Kye Hyun Kyung表示：“一直以來三星都致力于科技創新，不斷突破產業V-NAND的生產極限，使存儲產業更快迎接Tb(terabit)V-NAND時代的到來。我們將繼續與全球IT產業同步開發下一代V-NAND產品，這有助于新的系統和服務的及時推出，給消費者帶來更高的滿意度。”

三星64層256Gb TLC V-NAND具有1Gbps（千兆位/秒）的數據傳輸速度的特性，這是目前NAND Flash中最快的。此外，V-NAND具有行業最短的500微秒（?）的頁面編程時間（tPROG），比傳統的10納米（nm）級的平面NAND Flash約快四倍，大約是三星48層TLC 256Gb V-NAND的1.5倍。

隨著將供應領先的新V-NAND產品，三星希望行業更加注重Memory存儲的高性能和可靠性，而不是執著于芯片投資生產規模的競爭。

與之前48層256Gb V-NAND相比，新的64層256Gb V-NAND將提高30%以上的生產效率。此外，64層V-NAND是2.5V輸入電壓，與使用48層V-NAND的3.3V相比，能量效率提高了約30％。此外，新的V-NAND Cell的可靠性也增強了約20％。

三星先進的V-NAND制造過程應對了出現的各種挑戰，實現了這些改進。其中最主要的是實現了數十億個通道孔，穿透了幾十個Cell陣列，并將電子損失降到最小。

隨著單元陣列的層數增加，技術難度也隨之增加，特別是使通道孔的形狀均勻的從頂層到底層，并適當地分散各層重量，以提高其通道孔的穩定性。

三星克服的另一個挑戰是實現基于3D CTF（charge trap flash）結構的64層單元堆疊，并用原子薄的非導電物質均勻地覆蓋每個通道孔的內側。這導致創建更小的單元，性能和可靠性得到提高。

三星電子基于15年專有的V-NAND 3D架構研究，擁有相關重要應用領域的超過500多項專利，并已在韓國、美國和日本等眾多國家申請。基于其64層V-NAND的成功，三星已經通過堆疊超過90層的單元陣列，確保了未來需要的基本技術，以生產具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。